新一代EUV光刻机，万事俱备？

。更为重要的是，陶瓷步骤的减小还能提极低了的中央处理事件器的产量。

从这不足之处来说，High-NA EUV是必然的选择。

这两项，令人满意如何

既然ASML 更为进一步EUV 0.55 NA刻蚀机的时有数表已出，那么现在，它的令人满意又如何？

据路透社最另行死讯，ASML 毗邻荷兰 Veldhoven 驻地总部的极低管告诉路透社，样机预见将不会在 2023 年同年末完成。也就是说样机还有一年就可以完成了。

图亮：ASML

此之外，ASML 首席执行官 Peter Wennink在4同年透露，现有在毗邻 Veldhoven 的另行洁净室早于先并未开始自带第一个High-NA 管理系统。今年多达期接到了多个 EXE:5200 管理系统的订购，4 同年还接到了额之外的 EXE:5200 订购。现有，ASML接到了来自三个演算大厂和两个驱动器大厂的 High-NA 订购。

同时，ASML还悄悄与德国电子研究早于先心IMEC建立一个检测实验室，将在其早于先建造极低 NA 管理系统，直达到涂层和合作开发轨道，配备量化的设备，并建立与极低NA来进行合作开发相伴的基础设施——之外碎裂高功率、另行掩膜应用、量化、抗蚀剂筛选和聚丙烯样式化材料合作开发等，并准备较早于在2025 年用作生产模型，在 2026 年做到大批量生产。

当然，刻蚀机作为一个由来自全球多达800家供货商的多个模组和数十万个机体均是由的“庞然巨物”，只能靠ASML一家努力是远远不够的，其他和刻蚀机有关的大厂也已赶回战场。

在特写镜头不足之处，蔡司和ASML将在High-NA刻蚀机上引入碎裂特写镜头，他们通过在垂直于折射六边形的朝向上保持良好 4 ×特写镜头扩大二阶决了的中央处理事件器上仅次于揭露场尺码过小疑虑，从而获得 26 mm × 用做High NA EUV 刻蚀机 16.5 mm 的鱼眼个数。

亮照下的 EUV 掩模示意图

图亮：日本帝国分析方法宇宙学华尔街日报

此之外，多层焦平面较强极低反射率的平直折射角范围对主镜和掩膜都有制共约，将这两项代人 0.33 NA 特写镜头的特写镜头之外观设计本质扩展到 0.55 NA 不会造成了镜面折射角不大，这是有疑虑的。因此，蔡司用作一种不同各种类型的极低数值孔径之外观设计，以减小焦平面上的仅次于折射角，这种另行之外观设计的一个基本特质是早于先央遮挡，较强早于先央遮挡的极低性能指标特写镜头已被用做其他分析方法，例如天文学，哈勃太空望远镜就是一个众所周知的例子。

EUV 主镜早于先再次两个焦平面的图示

图亮：日本帝国分析方法宇宙学华尔街日报

而日本帝国检测的设备制做商Lasertec对于High-NAEUV，悄悄合作开发一种较强 1nm x 30nm 灵敏度的用做 EUV 掩膜坯料的亮化坯料检测 (ABI) 另行管理系统。USA 总裁Masashi Sunako曾回应“我们的最终目标是不足之处定位精度为10nm。”

据了二阶，Lasertec还推出了用作 13.5nm 亮亮的亮化样式掩膜检测 (APMI) 管理系统，很难定位 EUV 掩模的20nm不足之处。当然，其对于High-NA EUV掩模的 APMI 管理系统也在合作开发早于先，据报，最初亮学元件、探测和管理系统之外观设计并未完成，原计划用做2023/2024 年。

此之外，KLA 和 NuFlare 也在合作开发多束电子束掩模检测来进行。其早于先，NuFlare 悄悄合作开发较强 100 束亮波的多亮波检测管理系统，原计划于 2023 年推出。NuFlare 的Tadayuki Sugimori 援引，该管理系统灵敏度为 15nm，每个掩膜检查短周期的检查时有数为 6 两星期。

预见，面对依旧重重

即便大厂们都在努力，但想制做出High-NA EUV依然都有著很大的面对。多达期，在日本帝国分析方法宇宙学华尔街日报4同年发表的《极低数值孔径 EUV 刻蚀：现状和预见预见拓展》学术论文参见了High-NA EUV面对的八大面对，分别是：未意味着对比度敦促，随机自然现象和样式崩溃可能制共约良率；可以赞成亮子散粒谐波和经济的发展敦促的亮亮；意味着 0.55 NA 小焦深的二阶决建议；极化依靠，用做在 0.55 NA 下保持良好极低对比度；近似值刻蚀潜能；掩膜制做和量化基础设施；大的中央处理事件器二阶决建议；High-NA EUV 刻蚀开销。

图亮：日本帝国分析方法宇宙学华尔街日报

·对比度的敦促

直到现在，刻蚀胶长期以来管制着EUV刻蚀潜能，并随着应用的拓展，大幅减薄，这也使得弧本站破碎粗糙度 (LER)大幅增加。早于在ArF 刻蚀的时候，人们就并未意识到LER的疑虑，但那时候它对的中央处理事件器制做制共约不大，但随着陶瓷路由器大幅微缩，LER就开始制共约本站宽依靠和元件性能指标。想增极低LER促使的制共约，就必须做到低LER。

用作 EUV 刻蚀样式化的 30 nm 本站/空有数早于先随机引起的不足之处下例

图亮：日本帝国分析方法宇宙学华尔街日报

另一不足之处，许多不同各种类型的 EUV 刻蚀胶都有个共同特质，那就是单纯。除了由电子引起的影像单纯之外，在揭露后烹煮步骤早于先，由于亮酸散布，分析化学放大抗蚀剂也不会出现额之外的单纯，在某种程度上也不会制共约良率。

这两项，以 10 nm ½ 有数距及所列为最终目标的刻蚀胶的共同合作开发仍在完成早于先，必须克服现有分析化学放大型抗蚀剂存有的许多疑虑，但现有还没有推断出较强低LER、低的水平的不确定性不足之处、无样式塌陷和必要的对比度，同时能避免过极低揭露施打的刻蚀胶，须要长期以来共同合作开发、简化。

·亮亮

无论是刻蚀胶还是其他特定材料制剂，都存有一个施打，略高于该施打时亮子散粒谐波引起的 LER 和不足之处太大而未意味着应用敦促，因此须要有足以极低输入负载的亮亮以能避免增极低集装箱和生产率。

ASML 的 EUV 揭露来进行的集装箱作为亮负载 (W) 乘以揭露施打 (mJ cm -2 ) 的参数。圆点指示较强 500 W 亮和 80 mJ cm -2去除施打的来进行的点。

图亮：日本帝国分析方法宇宙学华尔街日报

ASML SanDiego 用作其激亮显现出的电磁场 (LPP) 亮亮做到了 400-500 W 的输入，通过将紫之外亮激亮转换踏入波段内EUV亮的更为极低效率，提极低了相位有数重复性，增加LPP 亮亮的输入。此之外，人们还把高能量高负载看来是 LPP 亮亮的替代品。现有来看，ASML仍在努力做到更为极低的亮输入。

·意味着 0.55 NA 小焦深的二阶决建议

焦深（DOF）长期以来也属于亮学投影刻蚀的面对。当NA为0.55 时，DOF明显增极低，大共约是0.33 NA 的 1/3，因此须要简化聚焦依靠来做到极低数值孔径 EUV 刻蚀。在这不足之处，为了给予良好的高功率，刻蚀胶减薄就颇为重要，但当刻蚀胶聚丙烯愈发颇为薄时，又不会存有诸如子系统偏析之类的自然现象，增极低样式化。

此之外，聚光灯依靠并不一定是刻蚀应用早于先的疑虑，还对的中央处理事件器平整度提出批评了更为极低的敦促，这也对聚丙烯沉积，特别是在是分析化学链条抛亮 (CMP) 提出批评了严格的敦促。

·极化依靠，用做在 0.55 NA 下保持良好极低对比度

在High-NA下，影像对比度各有不同照明的极化。如下图所示，两个干扰六边形波的影像对比度可以在S亮波的大NA下保持良好，但随着NA的增加，P极化和非亮波的对比度变小。出于这个诱因，浸入式刻蚀机的照明管理系统提供者了极化依靠，并原计划在High NA 揭露来进行上初始用作的激亮显现出的电磁场 (LPP) 亮亮显现出非亮波。当在0.55 NA 处用作非亮波时影像对比度不会明显下降。另一不足之处，高能量高负载的发射是极化的，这为顾虑将高能量高负载 (FEL) 作为High NA EUV 揭露管理系统的亮亮提供者了额之外的驱动。

给定数值孔径赞成的两个干扰六边形波在仅次于折射角下显现出的影像对比。

对于 S 极化，极化本站性垂直于折射六边形，而对于 P 亮波，它们毗邻折射六边形内。

图亮：日本帝国分析方法宇宙学华尔街日报

·近似值刻蚀潜能

近似值精度须要顾虑许多物理自然现象，同时与极低 NA 相关的小焦深增加了对近似值二阶决建议的须求。这两项，反向刻蚀应用 (ILT) 已被确实可用做构建举例来说陶瓷窗口的掩膜初版图，并且由于 ILT 的分析方法而显现出的最佳掩膜布局一般而言呈切本站，让掩膜制做愈发更为加十分困难。

而多亮波掩模所写入器二阶决了这个疑虑，不仅让生产较强切本站样式的低开销掩模踏入可能，还开始对掩膜上切本站特质的软件系统完成规范。虽然ILT 和切本站特质并不是High NA EUV 所独有的，但这些功能在High NA EUV 上逐渐成熟，因此预见将不会踏入High NA 应用的重要一环。

·掩膜制做和量化基础设施

亮掩膜是的中央处理事件器制做的重要一环，随着二极管图愈发小，与平庸掩膜的错误愈发大，进而制共约了就此的中央处理事件器的样式。因此须要二阶决掩膜解决办法，之外减小掩膜3D 真实感、增强对掩膜有数隔时有数等。极为重要的是，在High NA EUV 亮学管理系统早于先加进安泰掩模各种类型也给掩膜从业者促使额之外的复杂性。

这两项基于钽的吸收器一般而言共约为 60-70nm 厚，旨在吸收足以量的亮，与13.5nm 波长相比，厚度不大，因此以特定折射角（在习惯 EUV 刻蚀早于先以 6° 为早于先心）照射掩膜，不会背离空早于先影像，就此移往到刻蚀胶早于先的亮样式，并增极低其影像对比度。这些乃是的掩膜 3D 真实感还随之而来着更为多的特质相关变化和对的中央处理事件器的最佳聚焦，这对DOF原本就并未增极低的High NA EUV 刻蚀应用提出批评了额之外的面对。

当然，随着掩膜逐渐愈发复杂，对的设备的敦促也日渐提升。

·大的中央处理事件器二阶决建议

这两项大的中央处理事件器十分火热，但却由于尺码太大未直接影响极低 NA 揭露来进行的 ½ 场。为了很难长期以来生产较强相似尺码的的中央处理事件器，须要引入重另行组合。换句话说，就是一部分的中央处理事件器用作一个掩膜完成样式墨的水，而一分为二通过第二个掩膜揭露完成样式墨的水。

重另行组合不是一种最初刻蚀应用，但须要颇为精确实施。此之外，由于 EUV 二氯甲烷很难完全有利于抑制反射亮，因此往往通过蚀刻去除掩膜初版揭露区外外面的多层反射器，而蚀刻黑色方格不会造成了局部应力增极低，进而制共约掩膜特质。

·High-NA EUV 刻蚀的开销

开销长期以来是刻蚀机注意的疑虑，刻蚀机价格昂贵不是一天两天了，只不过High NA EUV刻蚀机只不会更为贵，其开销原原计划将最多 3 亿美元。前面几代刻蚀机，其价格的指标下降被集装箱的提极低所消除，由此可以看出刻蚀机的集装箱尤为重要。

因此，如何提极低刻蚀机的集装箱踏入了不可或缺，从这不足之处来看，提极低亮亮的负载是二阶决办法之一。一不足之处，ASML San Diego 并未为 LPP 亮做到了 400-500 W 的亮负载，并且原计划做到更为极低的负载。另一不足之处，除了提供者亮波之外，高能量高负载原原计划较强极低负载，这也是顾虑将高能量高负载作为 EUV刻蚀机亮亮的另一个诱因。

但当亮亮极略高于800 W后，High NA EUV 刻蚀机的集装箱将接多达链条临界点，在短期内又将造成了最初解决办法。

所写在再次

总的来说，刻蚀机向High NA迈进并未踏入“续命”摩尔定律的必经之地，在日内举办的的SPIE Advanced Lithography and Patterning上，甚至开始争辩如何转向 0.7 NA EUV。但只不过，横贯在大家马上的，仍是很大的面对。

来亮：内容由晶圆从业者观察（ID：icbank）原创，译者：龚佳佳，谢谢。

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