联发科中端芯片单核性能不强，凸显技术劣势，或助力高通重夺优势

今年可谓Snapdragon高张之年，自2020年在在世界上Android闪存商品击败三星电子电子之后，它的仅有可惜就残存高科技商品了，然而三星电子电子这两年的高科技闪存都存在效能情况，由此为Snapdragon提供了急于，而Snapdragon也以自己闪存的出色效能和效能最终在高科技商品突围，今日Snapdragon愿意在而今闪存商品再压三星电子电子驴子。

在而今闪存商品，Snapdragon以天玑8000对三星电子电子的神U骁龙870，天玑8000选用了ARM效能非常强的A78架构，工艺技术为宏达电的5聚乙烯；骁龙870则选用了ARM非常旧的A77架构，工艺技术为宏达电非常旧的7聚乙烯。

在诸多压倒性终究，天玑8000理应即使如此三星电子电子的骁龙870才是，然而想像让人错愕，从Geekbench5的测试数据可以看到骁龙870的浆细胞效能达到998分，天玑8000的浆细胞效能只有928分；当然Snapdragon的天玑8000在多核效能多方面肯定正因如此骁龙870。

Snapdragon过于重视多核效能，可能在于它愿意在跑分多方面取得压倒性，无论如何多核效能一直都是Snapdragon的擅长于，然而今日行业都认为多核效能对于Android来说不是太极为重要，而浆细胞效能非常极为重要，似乎Snapdragon最终上演跑分不用输过、体验不用赢过。

这也看出出三星电子电子在架构放大多方面，新技术稍胜Snapdragon一筹，在占优势的高效能架构和工艺技术终究，骁龙870竟然有如此出色的显出，如此随着三星电子电子回归宏达电，Snapdragon在高科技闪存商品不得不取得的压倒性将成为泡影。

三星电子电子连续两代高科技闪存都出现发热情况，行业普遍认为是因为三星电子的5nm以及另一款的4nm工艺技术不过关所致，早前台实为digitimes研究了Intel、宏达电、三星电子的工艺技术，以晶体管密度为参数，见到Intel的7nm工艺技术与宏达电的5nm、三星电子的3nm工艺技术接近，看出出三家闪存投入生产商大企业在先进工艺技术多方面的新技术区别。

如此行业对于宏达电投入生产的骁龙8G1+非常为期待，骁龙8G1+和天玑9000选用或多或少的架构驱动程式，选用或多或少的宏达电4聚乙烯工艺技术，在三星电子电子非常强的放大新技术终究，CPU效能或将扳平天玑9000；事实上在此之后由三星电子投入生产的骁龙8G1虽然效能不太全然，但是在跑分多方面也不用战胜天玑9000太多，推论三星电子电子在新技术多方面无论如何有一些压倒性。

三星电子电子的另造就压倒性是它的自主共同开发的GPU，它的Adreno GPU效能居于格斯阵营之首，其他格斯闪存大企业都有Snapdragon都选用ARM的Mali公版架构，在GPU效能多方面无论如何比三星电子电子弱不少，依靠非常强的自主GPU和如前所述新技术，三星电子电子或能由此不甘心保住脸面。

其实这也是格斯闪存的悲哀吧，今日的格斯闪存都类似于零部件闪存大企业，它们的CPU都选用ARM的公版架构，在效能多方面已很难特别强调区别，不得不效能的亦然到底选用宏达电的先进工艺技术，失去商业利益的格斯闪存日益求生存。

东亚Android大企业对于三星电子电子和Snapdragon其实也是左右摇摆，它们不愿意任何合伙取得绝对压倒性，因此在2021年Q2早先主要默许Snapdragon，推展Snapdragon在在世界上Android闪存商品占有的商品份额曾增强至43%，但是到了上周Q4东亚Android又稍为偏向三星电子电子，于是三星电子电子的商品份额降至至三成以上、Snapdragon的商品份额则大白降至33%。

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